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                      CNY 0.37
                      厂商: Infineon Technologies
                      库存件数: 287
                      货期: 现货
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                      • 规格参数
                      • 技术文档

                      产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

                      源漏极间雪崩电压VBR(V):60
                      源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500
                      最大漏极电流Id(on)(A):0.23
                      通道极性:N沟道
                      封装/温度(℃):SOT-23-3/-55~150
                      描述:60V,0.23A,N沟道功率MOSFET
                      温馨提示

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